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兩大巨頭達成多年合作!SK海力士與英偉達將共同開發(fā)下一代存儲器
SK海力士宣布,與英偉達達成一項為期多年的技術合作協(xié)議,共同推進面向人工智能(AI)工廠的下一代存儲器技術,加速半導體設計與制造的智能化進程。這項為期多年的協(xié)議旨在保障供應鏈穩(wěn)定性,以應對先進存儲產品較長的開發(fā)周期。SK海力士首發(fā)High-K散熱DRAM:熱導率提高3.5倍
SK海力士PKG產品開發(fā)負責人、副社長李圭濟表示:“這款產品在提升性能的同時,切實解決了高端智能手機用戶的痛點,具有重要市場意義。全球首款、突破300層!SK海力士官宣321層NAND閃存開始量產
SK海力士表示,公司從2023年6月量產上一代238層NAND閃存產品,并供應市場,此次推出的321層NAND閃存,不僅突破了技術界限,也率先實現(xiàn)了超過300層的NAND閃存量產。凡本站注明“來源:智能制造網”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網絡有限公司-智能制造網合法擁有版權或有權使用的作品,未經本站授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經本網授權使用作品的,應在授權范圍內使用,并注明“來源:智能制造網”。違反上述聲明者,本站將追究其相關法律責任。
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