HAST試驗箱在芯片可靠性測試中的應用方案
2026年06月11日| 資料類型 | docx文件 | 資料大小 | 45844 |
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| 關 鍵 詞 | HAST高壓加速老化箱,HAST試驗箱,高壓加速老化試驗箱,高加速溫濕度應力試驗機,高加速穩態濕熱試驗箱 | ||
- 【資料簡介】

HAST試驗箱在芯片可靠性測試中的應用方案
HAST(高加速溫濕度應力測試)是評估芯片封裝耐濕性、抗腐蝕能力及整體可靠性的常用方法。本方案提供一套標準化的測試流程,適用于芯片設計、封裝制造及質量驗證環節。
【試驗目的】
驗證芯片在高溫、高濕、高壓環境下的耐受能力,評估封裝材料的密封性與防潮性能
暴露可能出現的失效模式,如金屬化腐蝕、電化學遷移、塑封料分層或引線鍵合點開裂
確定芯片是否滿足相關可靠性壽命要求(如消費電子、工業控制或車規等級)
【實驗/設備條件】
HAST試驗箱:具備溫度、相對濕度及壓力閉環控制功能,工作壓力范圍 0.2~0.3 MPa(壓力),溫度范圍 105~150 ℃,濕度范圍 75%~100% RH。設備應滿足 JEDEC JESD22-A110 標準要求。
測試載板與夾具:適用于被測芯片封裝形式(如 QFP、BGA、SOP 等),支持偏壓加載(可選)。
電性測試儀器:數字萬用表、半導體參數分析儀或自動測試機(ATE),用于測試樣品電性參數。
外觀檢查設備:光學顯微鏡(20×~200×)、掃描聲學顯微鏡(CSAM,用于分層檢測)。
環境及輔助設備:實驗室環境溫度 25±3 ℃、相對濕度 ≤60%;烘箱(125 ℃ 烘烤用);異丙醇、防靜電工具等。
【試驗樣品】
待測芯片:封裝形式為塑封 QFP 或 BGA,數量不少于 25 顆(可按標準或客戶要求增加至 77 顆或 112 顆)。
樣品要求:外觀完整、無機械損傷,經初始電性測試確認功能與關鍵參數合格。記錄樣品批次、封裝日期、初始電測數據。
【試驗步驟】
樣品準備與初測
對試驗樣品進行外觀檢查,剔除有物理缺陷的芯片。在常溫下完成初始電性測試,記錄功能、漏電流、引腳開路/短路等數據。清潔與干燥
使用異丙醇輕拭芯片表面,去除可能的污染物。將所有樣品放入 125 ℃ 烘箱中烘烤 24 小時,去除封裝內部殘余濕氣。安裝與偏壓設置(可選)
將芯片焊接或安裝至測試載板上,確保電氣接觸良好。若進行偏壓 HAST,按芯片額定電壓設置電源(通常為額定電壓的 1.0~1.2 倍),并正確連接各引腳的偏壓電路。裝載至 HAST 試驗箱
將載板平穩放入試驗箱內腔,連接偏壓線纜(如有),關閉箱門并確認密封。設定試驗條件并啟動
依據測試要求設定溫度、相對濕度、壓力及時間。典型條件如下文【試驗條件】所述。啟動程序,試驗過程中每 12 小時記錄一次溫濕度與壓力值,確保參數穩定。試驗運行
持續運行至設定時間。期間避免開門或中斷。測試后處理
試驗結束后,設備自然冷卻至接近常溫常壓(降溫降壓時間通常約 1 小時),然后打開箱門取出樣品。避免快速降壓引起水汽凝結。后測與失效判定
將樣品在室溫下穩定 1~2 小時。先用光學顯微鏡檢查引腳、塑封體表面是否存在腐蝕、裂紋或鼓泡。再次進行電性測試(同一測試條件及流程),將結果與初始數據對比,計算參數變化率。
對電性失效的樣品使用 CSAM 檢查是否有內部分層,或采用 SEM/EDS 分析腐蝕產物。【試驗條件】
參數
典型條件
可調范圍 / 備注
溫度
130 ℃ ± 2 ℃
110 ℃~130 ℃,可根據加速因子及標準調整
相對濕度
85% RH ± 5% RH
無偏壓時可放寬至 85% RH;
部分標準要求 85% RH壓力(絕→對壓力)
0.23 MPa(約 33 psig)
與 130 ℃/85% RH 對應的飽和蒸汽壓
試驗時間
96 小時
常見時長;車規級可用 168 小時或更長
偏壓條件(可選)
VDD = 額定電壓;I/O 接地或高阻
無偏壓時僅評估封裝與材料的耐濕性
注:用戶可根據芯片實際應用場景(如消費級、工業級、車規級)及參考標準(JEDEC、IEC 60749)適當調整上述條件。
【實驗結果/結論】
以某批次 QFP 封裝 MCU 芯片為例,按照 130 ℃ / 85% RH / 0.23 MPa / 96 小時(無偏壓)條件測試 25 顆樣品:
外觀檢查:
20%(5/25)芯片引腳表面出現輕微氧化點,但無腐蝕剝落;CSAM 掃描顯示 2 個樣品存在塑封料與引線框架界面輕微分層(分層區域 ≤ 15% 總面積)。電性測試:
23 個樣品功能正常,漏電流變化率在初始值的 ±20% 范圍內,滿足規格書要求;2 個樣品出現信號引腳對地漏電流大幅上升(>10 倍初始值),判定為失效。結論:
該批次芯片總體通過率為 92%(23/25)。失效模式為引線鍵合點周圍金屬腐蝕,與封裝填充料在高壓濕環境下的阻水性能不足相關。建議選用更高等級的塑封料或增加鈍化層工藝,并對同批次產品加嚴篩選。
本方案提供的測試流程及條件可重復用于芯片耐濕可靠性驗證,用戶可依據自身合格判據(如漏電流變化率≤50%或零失效)進行質量判定。
備注:以上結果僅為示例,僅供參考,實際測試結論以具體試驗數據為準。建議用戶在實施 HAST 測試前,明確合格判據并與相關標準對標。
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