摘要：日前，格科微宣布其在中國(guó)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(“TSMC”)的12吋90nm(奈米)邏輯平臺(tái)上研發(fā)的“透硅成像”(Through SiliconI llumination,簡(jiǎn)稱“TSI”)圖像傳感器制造技術(shù)取得成功，并即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。
　　
　　格科微的TSI技術(shù)具有全面的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，包括電路設(shè)計(jì)、像素版圖設(shè)計(jì)以及與像素相關(guān)的工藝流程技術(shù)。該技術(shù)可以用于大規(guī)模制造1.75μm(微米)，1.4μm和1.1μm像素的CMOS圖像傳感器，并可延伸到0.9μm像素的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。格科微預(yù)期將在2014年至2015年期間陸續(xù)推出基于該*技術(shù)的5Megapixel(百萬像素),8Megapixel以及12Megapixel的圖像傳感器系列產(chǎn)品。
　　
　　格科微的TSI技術(shù)具有如下優(yōu)勢(shì)：
　　
　　1.高性能：TSI技術(shù)在大幅度提高靈敏度、信噪比的同時(shí)，顯著地抑制了熱燥、暗電流和串?dāng)_等噪聲。
　　
　　2.高速度和低功耗：TSI技術(shù)采用TSMC的90nm工藝作為技術(shù)平臺(tái)，并進(jìn)一步優(yōu)化相關(guān)工藝參數(shù)，同時(shí)結(jié)合格科微*的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了CMOS圖像傳感器的高速度與低功耗，由此保證高幀率預(yù)覽與拍照，同時(shí)保證芯片的低功耗從而實(shí)現(xiàn)出色的低熱燥水平。
　　
　　3.顯著的成本優(yōu)勢(shì)：TSI技術(shù)采用格科微自主創(chuàng)新的像素工藝技術(shù)，使用較少的工藝步驟實(shí)現(xiàn)*的圖像性能。
　　
　　“我們?yōu)門SI技術(shù)的研發(fā)成功和其展現(xiàn)出的優(yōu)異性能感到歡欣鼓舞。”格科微CEO趙立新表示，“同時(shí)我們感謝格科微相關(guān)團(tuán)隊(duì)的表現(xiàn)和TSMC的大力支持，該技術(shù)得以及時(shí)研發(fā)成功。我們將迅速在這個(gè)性能*的技術(shù)平臺(tái)上推出基于1.1~1.4μm像素的5Megapixel、8Megapixel和12Megapixel系列產(chǎn)品，一舉打破美日韓公司壟斷高像素CMOS圖像傳感器市場(chǎng)的局面，為飛速發(fā)展的智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)互聯(lián)終端產(chǎn)品提供具有性能和性價(jià)比優(yōu)勢(shì)的世界*的圖像傳感器產(chǎn)品。”