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高精度介質損耗角正切值試驗儀—介電損耗角正切
介電損耗角正切是指表征電介質材料在施加電場后介質損耗大小的物理量,以tanδ來表示,δ是介電損耗角。
定義:
介電損耗角正切又稱介質損耗角正切,是指電介質在單位時間內每單位體積中,將電能轉化為熱能(以發熱形式)而消耗的能量。表征電介質材料在施加電場后介質損耗大小的物理量,以tanδ來表示,δ是介電損耗角。
介質損耗角是在交變電場下,電介質內流過電流向量和電壓向量之間的夾角 。
原理:
材料介電性能主要用介電常數ε和介電損耗角正切tanδ來表征,其中介電常數是綜合反映電介質極化行為的宏觀物理量。介電損耗角正切表征每個周期內介質損耗的能量與其貯存能量之比。
作用: 在實際工程應用中,介質損耗通常都是用介質損耗角的正切tanδ來表示的。用tanδ值來研究電介質損耗具有以下兩個明顯的優點:
(1)tanδ值可以和介電常數ε同時測量得到;
(2)tanδ值與測量樣品的大小和形狀都無關,是電介質自身的屬性,并且在許多情況下,tanδ值比ε值對介質特性的改變敏感的多 。
用例:
高分子材料多系絕緣性好的材料,廣泛的用于電子及電工行業。使用時不希望絕緣材料本身能量損耗大,因而測量出介質損耗因數就能評價材料的介質本身能量損耗。工業上多選用介質損耗因數小的高分子材料作為絕緣材料。通常極性橡膠的tanδ比非極性橡膠的大。它還與試驗采用的頻率、溫度緊密相關。在一定溫度下,只有在某一頻率范圍內,分子偶極取向雖可追隨電場變化,但不wan全同步,有部分電能被吸收而發熱,tanδ出現最大值。同樣在一定頻率下,惟有某一溫度區域內tanδ才會出現極大值,當頻率升高時,介質損耗峰移向高溫端。
高精度介質損耗角正切值試驗儀參數介紹:
功能名稱: | ZJD-A | ZJD-B | ZJD-C |
信號源范圍DDS數字合成信號 | 10KHZ-70MHz | 10KHZ-110MHz | 100KHZ-160MHz |
信號源頻率精度:6位有效數 | 3×10-5 ±1個字 | 3×10-5 ±1個字 | 3×10-5 ±1個字 |
Q測量范圍 | 1-1000自動/手動量程 | 1-1000自動/手動量程 | 1-1000自動/手動量程 |
Q分辨率 | 4位有效數,分辨率0.1 | 4位有效數,分辨率0.1 | 4位有效數,分辨率0.1 |
Q測量工作誤差 | <5% | <5% | <5% |
電感測量范圍:4位有效數,分辨率0.1nH | 1nH-8.4H , 分辨率0.1nH | 1nH-8.4H 分辨率0.1nH | 1nH-140mH分辨率0.1nH |
電感測量誤差 | <5% | <5% | <5% |
調諧電容 | 主電容30-540pF | 主電容30-540pF | 主電容17-240pF |
電容直接測量范圍 | 1pF~2.5uF | 1pF~2.5uF | 1pF~25nF |
調諧電容誤差 | ±1 pF或<1% | ±1 pF或<1% | ±1 pF或<1% |
諧振點搜索 | 自動掃描 | 自動掃描 | 自動掃描 |
LCD顯示參數 | F,L,C,Q,Lt,Ct等 | F,L,C,Q,Lt,Ct等 | F,L,C,Q,Lt,Ct,Tn,Er等 |
殘余電感自動扣除功能 | 有 | 有 | 有 |
大電容值直接測量顯示功能 | 測量值可達2.5uF | 測量值可達2.5uF | 測量值可達25nF |
介質損耗系數 | 精度 萬分之一 | 精度 萬分之一 | 精度 萬分之一 |
介電常數 | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 |
材料測試厚度 | 0.1mm-12mm | 0.1mm-12mm | 0.1mm-12mm |
介電常數 | 手動測試 | 手動測試 | 自動測試 |
USB接口 | 支持介電常數輸出以及產生曲線 |
