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2015 06-11: IGBT的本質原來是這樣

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件。應用于交流電機

2015 06-08: 公司經營范圍

北京佳鑫恒益科技有限公司是一家專業經營電力電子器件、代理銷售功率模塊、IGBT模塊、整流橋模塊、可控硅模塊、智能IGBT模塊(三菱（MITSUBISHI）、富士（FUJI）、東芝（TOSHIBA）、西

2015 03-13: 變頻器

變頻器（Variable-frequencyDrive，VFD）是應用變頻技術與微電子技術，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流

2015 03-13: 可控硅模塊是什么？

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。zui早是在1970年由西門康公司將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半

2014 12-30: 學會IGBT的基礎知識

學會IGBT的基礎知識1.IGBT模塊的術語及其特性術語說明集電極、發射極間處于交流短路狀態，在柵極、發射極間及集電極、發射極間加上電壓時，柵極、發射極間的電容2.IGBT模塊使用上的注意事項1.IG

2014 09-10: IGBT模塊是什么？

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOS

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可控硅是怎樣工作的？

—— 2015/6/11

一、單向可控硅工作原理可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導通狀態。另外，可控硅一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉

什么是變頻器？

—— 2015/6/8

變頻器（Variable-frequencyDrive，VFD）是應用變頻技術與微電子技術，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流

電子元器件發展

—— 2015/3/13

電子元器件發展史其實就是一部濃縮的電子發展史。電子技術是十九世紀末、二十世紀初開始發展起來的新興技術，二十世紀發展zui迅速，應用zui廣泛，成為近代科學技術發展的一個重要標志。*代電子產品以電子管為

整流橋模塊是什么？

—— 2014/9/10

整流橋就是將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶

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北京佳鑫恒益科技有限公司

北京佳鑫恒益科技有限公司是一家專業經營電力電子器件、代理銷售功率模塊、IGBT模塊、整流橋、可控硅、智能IGBT模塊(三菱（MITSUBISHI）、富士（FUJI）、東芝（TOSHIBA）、西門子（SIEMENS）、歐派克（EUPEC）、西門康（SEMIKRON）、三社（SANREX）、日立（HITACHI）、三肯（SANKEN）、IR、IXYS、VICOR、LAMBDA等世界廠商產品。產品覆蓋I...

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