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2024年10月9日消息，阿斯麥(ASML)相關負責人近日公開表示，英特爾已經在波特蘭工廠完成兩臺High NA EUV光刻機(單臺設備的售價約為3.5億美元)的安裝。
據悉，High NA EUV光刻機所需的所有基礎設施已經到位并開始運行，并且用于High NA EUV光刻機的光刻掩模檢測工作也已經按計劃開始進行。
光刻機被譽為集成電路產業“皇冠上的明珠”，是制造手機、電腦等電子芯片的關鍵機器設備。阿斯麥(ASML)作為光刻機領域龍頭企業，幾乎壟斷了目前全球光刻機的市場份額，其在全球半導體產業鏈發展中有著重要地位。
此外，還有Nikon、Canon，同樣也是全球光刻機產業發展的關鍵性企業，與阿斯麥(ASML)一起占據著絕大部分的市場份額。
那，國產光刻機發展如何呢？
目前國產化率不足3%，核心原因主要在于零組件供應與整機技術與海外差距較大。不過，近期也傳出技術突破的好消息！
2024年9月，工業和信息化部印發《首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》。在電子專用設備集成電路生產裝備方面，氟化氪光刻機、氟化氬光刻機位列其中。
氟化氪光刻機核心技術指標：
晶圓直徑：300mm；
照明波長：248nm；
分辨率≤110nm；
套刻≤25nm；
氟化氬光刻機核心技術指標：
晶圓直徑：300mm；
照明波長：193nm；
分辨率≤65nm；
套刻≤8nm；
有業內人士表示，國產氟化氬光刻機(套刻≤25nm)的數據與阿斯麥(ASML)旗下TWINSCAN XT：1460K最為接近。
目前光刻機可分為直寫光刻機與掩膜光刻機，主要有i-Iine(汞線)、KrF(氟化氪)、ArF(氟化氬)、ArFi(浸潤式氟化氬)、EUV(極紫外)五大類。
9月10日，上海微電子裝備(集團)股份有限公司(簡稱：上海微電子)公開了一項名為“極紫外輻射發生裝置及光刻設備”的發明專利。該專利的申請日期為2023年3月9日，涵蓋了極紫外輻射發生裝置及其在光刻設備中的應用。
上海微電子的專利發明旨在提供一種極紫外輻射發生裝置及光刻設備，用于高效且簡便地收集帶電粒子以提高收集器鏡的使用壽命。
智能制造網了解到，極紫外光刻技術(EUV lithography)是一種使用波長為13.5納米的極紫外光作為光源的下一代光刻技術，廣泛應用于半導體制造中，是面向7nm及以下節點的主流光刻技術。
東海證券認為，目前國產光刻機整機技術與海外差距較大，5~10年內90nm、28nm光刻機的研發量產較為關鍵。智能制造網堅信，只要不斷提高技術研發，相信我國也會很快研發出浸潤式光刻機，甚至是EUV光刻機！
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